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氮化镓晶体管

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电性参数

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Vds-漏源击穿电压650V

Id-漏极电流(25℃)20A

Pd-功耗96W

Vgs(th)-阈值电压1.9V

RDS(on)-导通电阻(10V)110mΩ

Qg-栅极电荷7.2nC

Ciss-输入电容243pF

Crss-反向传输电容1.5pF

工作温度-55℃~+150℃

产品特性

产品应用

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黎先生

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